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NCT技術(shù)總監(jiān)佐佐木公平團(tuán)隊(duì)聯(lián)合日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所：通過表面活化鍵合技術(shù)制備的Ga?O?/Si界面電導(dǎo)率
2025-10-30 16:42:55
日本大阪大學(xué)：SiO?/β-Ga?O?(001) MOS結(jié)構(gòu)中電子陷阱與固定電荷的氫鈍化作用
研究發(fā)現(xiàn)相對(duì)較低的 FG-PMA 溫度（200–400℃）能有效減少界面及近界面缺陷，從而提升器件性能與可靠性。
2025-10-30 16:43:25
南京大學(xué)葉建東教授&哈工大團(tuán)隊(duì)：1.35 GeV高能重離子輻照下NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)二極管的災(zāi)難性燒毀機(jī)制
發(fā)現(xiàn)揭示了 β-Ga2O3 器件在重離子轟擊下的損傷與失效機(jī)制，為提升輻照抗損能力提供了策略依據(jù)。
2025-10-30 16:44:04
南京郵電大學(xué)唐為華教授、郭宇鋒教授&內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)：鈍化工程提升 β-Ga?O? 深紫外光電探測(cè)器的光電檢測(cè)性能
2025-10-30 16:44:32
材料科學(xué)頂刊！內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)：通過Ga/Zn互摻雜實(shí)現(xiàn)界面調(diào)諧的理論研究：Ga?O?/ZnO 異質(zhì)結(jié)中的作用機(jī)制
為高性能 β-Ga2O3 光探測(cè)器提供了摻雜策略，尤其適用于要求快速響應(yīng)時(shí)間和低暗電流的日盲應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-10-30 16:45:10
電子科技大學(xué)羅小蓉教授團(tuán)隊(duì)： 具有變注入氟離子復(fù)合終端的β-Ga?O? SBD與應(yīng)力測(cè)試
研究團(tuán)隊(duì)通過仿真與實(shí)驗(yàn)研究，提出并驗(yàn)證了一種具有變注入氟離子復(fù)合終端的氧化鎵肖特基勢(shì)壘二極管，該器件具有高擊穿電壓和高可靠性。
2025-10-30 16:45:36
